一、功率数字化测试软件DPowerTest解决您的测试困扰
大家在做双脉冲测试时，可能会有以下几个困扰：
1.不同的测试项目、实验顺序、测试工况，测试流程多，任务重；
2. 测试数据丢失，无法查询分析历史测试数据及波形；
3. 测试标准不一致，引起测试结果偏差；
4. 实验异常时，无法判断是系统哪个模块失效；
5. 上下电，调整脉宽，卡点存图，测试繁琐，耗时长；
6. 想买台设备，但是已有示波器，不想重复购买；
7. 在示波器上手动卡点，计算开关过程的时间、尖峰、损耗等数据。
我们的DPowerTest是如何解决这些困扰的呢？一起来看看吧~
01 自定义测试流程
在测试流程界面，自由选择单脉冲、双脉冲等实验类型，实验顺序、试验次数任意调整；可进行单一工况测试，也可批量添加工况。测试流程可保存，修改，便于下次使用。
02 测试结果追溯
测试结果自动保存在数据库，支持检索、查询、上传服务器。软件界面上可对波形进行放大缩小，查看波形细节和卡点位置。
03 自定义测试标准
行业内通用测试IGBT的标准是IEC-60747-9，测试MOSFET的标准是IEC-60747-8，随着新材料、新拓扑、新封装的新型功率器件层出不穷，固化的测试标准不能完全包络复杂的应用场景，因此DPowerTest不仅可以按照IEC标准执行，还支持用户自定义标准。
04 设备模块化管理
硬件功能（示波器、高压直流电源、加热平台、低压直流程控电源、负载电感、信号发生器等）可实现模块化管理，比如，单独调试高压电源升压/下电、信号发生器发送不同脉宽的PWM、电感切换到不同的挡位、驱动板门极参数的调整等。在提供了手动测试的平台同时，还提高了设备子系统的利用率。
05 单工况测试时间小于20s
DPowerTest可在20s内完成一次双脉冲试验，高效来自于梦之城登录注册平台自研的高压直流电源技术和软件算法。充电1200V只需要9s（电容2mF），软件对波形分析处理需要9s。
06 适配主流的国内外品牌示波器
在软件上，我们打通了多款主流示波器的通讯协议，用户在使用ME300D-SE时，可以更自由地选择示波器的品牌。打通协议后，可实现软件操控示波器完成通道设置和探头衰减倍数等设置，另外自动卡点计算波形。
二、智能硬件
01 MIRACLE PS 智能电源系统
闭环控制精准充放电，电压精度1%FS+3V，电源升压时间0-1200V时长8.5s@2mF，1200V降压时间5.5s@2mF。
02 MIRACLE CAL示波器探头相位校准装置
一键完成示波器及探头相位延时校准，减小测量误差，提升测量精度。
基于反向恢复时，由于杂散电感LS存在，VCE会有电压平台，根据公式Vt=VDC-Ls*(di/dt) 来拟合出一个Vt曲线，精准定位相位差时间。
03 MIRACLE GDU高性能SiC数字驱动器
CMTI≥100kV/µs；栅极电压精度0.1V，电源范围-15-25V软件自动可调，正极性(10-25V)可调，负极性(-15-0V)可调；门极驱动回路寄生电感＜3nH。
04 MIRACLE Fixture分立器件测试工装
门级电压可调：负压-15-0V，正压10-25V，精度0.1V
兼容封装：TO247-3，TO247-4，TO263封装类型
高温测试：室温至200℃寄生电感：＜10nH
电压等级：1200V 电流等级：5-450A
电压测试：支持差分探头和光隔离探头
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差分探头
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光隔离探头
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共模抑制比
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低
测量上管电压存在共模噪声引起的跳变
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高
可以精准测量上管电压
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测试环路
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较大
探头前端较长，寄生电感大；探头包围面积大，天线效应耦合磁场
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最小
得益于高性能的连接件和附件
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共模范围和衰减倍数
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高共模范围和低衰减倍数不兼得。测量高压，则量化误差和系统噪声大
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兼具高共模范围和低衰减倍数。测量高压也可以有很小的量化误差和系统噪声
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带宽
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低
无法测量频率较高的震荡(200MHz)
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高
可以测量出高频震荡（1GHz）
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电流测试：支持罗氏线圈和shunt电阻
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罗氏线圈
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Shunt电阻
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功率回路
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非侵入式测量
不破坏功率回路，回路杂感较小
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侵入式测量
破坏功率回路，引入额外回路杂感
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是否隔离
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隔离式测量
无共电压问题，安全
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非隔离测量
存在共模电压问题，不当使用存在安全隐患
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准确度
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低
存在延时
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高
延时较低
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带宽
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低，最高50MHz
无法测量频率较高的震荡
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可高达2GHz
可以测量出高频电流震荡
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三、系统规格
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测试范围
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电压20~1200V；电流5~4000A，短路电流12000A（max）
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测试项目
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单脉冲测试，双脉冲测试，短路测试
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测试对象
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IGBT，SiC MOSFET
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温度范围
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室温~200℃
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负载电感
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10/20/50/100/200/500µH手动可调
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尺寸
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920*750*1500（单位：mm）
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重量
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170kg
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指标
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测试范围
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指标
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测试范围
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tdon
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1-10000ns
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IC（actual）
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5-4000A
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tr
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1-10000ns
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VCE（actual）
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20-1200V
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tdoff
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1-10000ns
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IRM
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5-8000A
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tf
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1-10000ns
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VRM
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20-2000V
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ton
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1-10000ns
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-diF/dt
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10–50000A/us
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toff
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1-10000ns
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VGEmax
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0-30V
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trr
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1-10000ns
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di/dt(Diode)
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10– 50000A/us
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Eon
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1-10000mJ
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dv/dt(Diode)
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10– 50000A/us
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Eoff
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1-10000mJ
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tSC
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1-100µs
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Erec
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1-10000mJ
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ESC
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0-100J
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Etot
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1-10000mJ
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QG
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10-1000000nC
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VCEmax
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20-2000V
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ISC
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10–12000A
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di/dt(on)
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10– 50000A/us
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ɑstatic
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0-100%
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dv/dt(on)
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10– 50000V/us
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ɑon
|
0-100%
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di/dt(off)
|
10– 50000A/us
|
ɑoff
|
0-100%
|
|
dv/dt(off)
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10– 50000V/us
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tDTmin
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0-30µs
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四、高性价比
ME300D-SE在提供高效率、高准确度、智能化的测试解决方案的同时，保留了极具诱惑力的价格，欢迎大家来电咨询。
联系人：骆经理 13588200789 （微信同号）